Revisi per 25 Desember 2011 16.25 sunting 180.241.100.182 (bicara) →Waktu Memori(Memory Timing) ← Revisi sebelumnya		Revisi per 26 Desember 2011 02.10 sunting balikkan Andri.h (bicara \| kontrib) 37.577 suntingan Tidak ada ringkasan suntingan Revisi selanjutnya →
Baris 1: {{rapikan\|topik=teknologi informasi}} {{terjemah\|Inggris}} '''Random ~~akses~~Akses ~~memori~~Memori ~~dinamis~~Dinamis (DRAM)''' merupakan jenis random akses memori yang menyimpan setiap bit data yang terpisah dalam kapasitor dalam satu sirkuit terpadu. Karena kapasitornya selalu bocor, informasi yang tersimpan akhirnya hilang kecuali kapasitor itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran, hal ini yang membuatnya sangat dinamis dibandingkan dengan memori (SRAM) statik memori dan lain-lain. Keuntungan dari DRAM adalah kesederhanaan struktural: hanya satu transistor dan kapasitor yang diperlukan per bit, dibandingkan dengan empat di Transistor SRAM. Hal ini memungkinkan DRAM untuk mencapai kepadatan sangat tinggi. Tidak seperti flash memori, memori DRAM itu mudah "menguap" karena kehilangan datanya bila kehilangan aliran listrik.

Memori akses acak dinamis: Perbedaan antara revisi