Revisi per 13 Januari 2012 08.40 sunting Farras (bicara \| kontrib) Peninjau 51.365 suntingan k memindahkan Dynamic Random Access Memory ke Memori akses acak dinamis ← Revisi sebelumnya		Revisi per 13 Januari 2012 08.41 sunting balikkan Farras (bicara \| kontrib) Peninjau 51.365 suntingan Tidak ada ringkasan suntingan Revisi selanjutnya →
Baris 1: {{rapikan\|topik=teknologi informasi}} {{terjemah\|Inggris}} '''~~Random~~Memori ~~Akses~~akses ~~Memori~~acak ~~Dinamis~~dinamis''' ({{lang-en\|Dynamic random-access memory}}; disingkat '''DRAM)''') merupakan jenis random akses memori yang menyimpan setiap bit data yang terpisah dalam kapasitor dalam satu sirkuit terpadu. Karena kapasitornya selalu bocor, informasi yang tersimpan akhirnya hilang kecuali kapasitor itu disegarkan secara berkala. Karena kebutuhan dalam penyegaran, hal ini yang membuatnya sangat dinamis dibandingkan dengan memori (SRAM) statik memori dan lain-lain. Keuntungan dari DRAM adalah kesederhanaan struktural: hanya satu transistor dan kapasitor yang diperlukan per bit, dibandingkan dengan empat di Transistor SRAM. Hal ini memungkinkan DRAM untuk mencapai kepadatan sangat tinggi. Tidak seperti flash memori, memori DRAM itu mudah "menguap" karena kehilangan datanya bila kehilangan aliran listrik.

Memori akses acak dinamis: Perbedaan antara revisi