Transistor efek–medan: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k Bot: Penggantian teks otomatis (-kanal-N +salur-N) |
k Bot: Penggantian teks otomatis (-pertemuan p-n +sambungan p-n) |
||
Baris 31:
Jenis-jenis dari FET adalah:
* '''[[MOSFET]]''' (''Metal–Oxide–Semiconductor FET'', FET [[Semikonduktor]]–[[Oksida]]–[[Logam]]) menggunakan [[isolator]] (biasanya [[silikon dioksida|SiO<sub>2</sub>]]) di antara gerbang dan badan.
* '''[[JFET]]''' (''Junction FET'', FET Pertemuan) menggunakan [[
* '''[[MESFET]]''' (''Metal–Semiconductor FET'', FET Semikonduktor–Logam) menggantikan
* '''[[HEMT]]''' (''High Electron Mobility Transistor'', Transistor Pergerakan [[Elektron]] Tinggi), juga disebut HFET (''heterostructure FET'', FET Struktur Campur). Material celah-jalur-lebar yang dikurangi penuh membentuk isolasi antara gerbang dan badan.
* '''[[IGBT]]''' (''Insulated-Gate Bipolar Transistor'', Transistor Dwikutub Gerbang-Terisolasi) adalah peranti untuk pengendali daya tinggi. Ini mempunyai struktur mirip sebuah [[MOSFET]] yang digandengkan dengan kanal konduksi utama yang mirip [[transistor dwikutub]]. Ini sering digunakan pada tegangan operasi cerat-ke-sumber antara 200-3000 V. [[MOSFET daya]] masih merupakan peranti pilihan utama untuk tegangan cerat-ke-sumber antara 1-200 V.
| |||