Prof. Samaun Samadikun menjadi mahasiswa Jurusan Teknik Elektro di ITB dipada awal tahun 1950an dan lulus sebagai insinyur. Ia kemudian memperoleh gelar [[Master of Science|M.Sc.]] (1957) dan [[Doctor of Philosophy|Ph.D.]] (1971) di bidang [[teknik elektro]] dari [[Universitas Stanford]] di [[Amerika Serikat]]. Ia juga memperoleh Postgraduate Diploma bidang Nuclear Engineering dari [[Queen Mary, Universitas London]] (1960). Di Universitas Stanford pada tahun 1975, bersama K.D Wise, Prof. Samaun menciptakan paten, US Patent No 3,888,708 yang bertajuk, ''"Method for forming regions of predetermined in silicon"''.
