Transistor dwikutub gerbang-terisolasi: Perbedaan antara revisi
Konten dihapus Konten ditambahkan
k robot Adding: sk:Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom, vi:IGBT |
Imuchtarom (bicara | kontrib) Tidak ada ringkasan suntingan |
||
Baris 1:
{{rapikan}}
'''Transistor '''IGBT'''''' (''Insulated-Gate Bipolar Transistor'') adalah piranti [[semikonduktor]] yang setara dengan gabungan sebuah [[transistor bipolar]] ('''BJT''') dan sebuah [[transistor efek medan]] ([['''MOSFET''']]).
Input dari IGBT adalah terminal ''Gate'' dari MOSFET, sedang terminal ''Source'' dari MOSFET terhubung ke terminal ''Basis'' dari BJT. Dengan demikian, arus ''drain'' keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya tahanan masuk dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus drain sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukuo besar untuk membuat BJT mencapai keadaan saturasi. Dengan gabungan sifat kedua elemen tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah sakelar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya.
| |||