Sawar Schottky
Sawar Schottky atau Hambatan Schottky, diambil dari nama Walter H. Schottky, merupakan hambatan potensial dibentuk pada persimpangan antara logam-semikonduktor yang memiliki karakteristik lebih baik. Perbedaan terbesar antara hambatan Schottky dan persimpangan p-n yaitu terletak pada tegangannya.
Tidak semua persimpangan antara logam-semikonduktor akan membentuk hambatan Schottky. Persimpangan logam-semikonduktor yang tidak memperbaiki disebut sambungan ohmic. Sifat yang lebih baik tergantung pada fungsi kerja logam, celah intrinsik semikonduktor, jenis, dan konsentrasi dopants dalam semikonduktor, dan faktor lainnya. Rancangan semikonduktor memerlukan perangkat yang sesuai dengan efek Schottky untuk memastikan hambatan Schottky tidak dihasilkan memerlukan sebuah sambungan ohmic.
Manfaat
Hambatan Schottky, dengan tegangan yang lebih rendah digunakan dalam suatu persimpangan, dimana dioda normal, transistors, digunakan untuk perlindungan sirkuit.
Alat
Karena salah satu bahan dalam dioda Schottky adalah logam, fakta bahwa hanya satu jenis dopant sangat diperlukan untuk menyederhanakan pembuatan. Dan karena rendahnya jarak celah, diode Schottky dapat mencapai kecepatan yang lebih besar berpindah dari pada persimpangan diodes p-n, sehingga dapat memperbaiki sinyal frekuensi tinggi.
Secara keseluruhan, perangkat Schottky dapat ditemukan hanya pada aplikasi yang terbatas dibandingkan dengan aplikasi teknologi semikonduktor lainnya.
Sebuah persimpangan Transistor bipolar dengan hambatan Schottky antara dasar dan kolektor dikenal sebagai Schottky transistor. Karena tegangan persimpangan dari penghalang Schottky yang relatif kecil, dapat dicegah oleh transistor, yang dapat meningkatkan kecepatannya ketika digunakan sebagai saklar. Ini adalah dasar untuk Schottky dan Schottky lanjutan, serta pada varian dengan tenaga yang rendah.
Hambatan Schottky sering digunakan juga dalam teknik karakterisasi listrik semikonduktor. Bahkan, dalam semikonduktor, penipisan daerah yang dibuat oleh elektron logam, yang "mendorong" jauh elektron semikonduktor. Dalam penipisan daerah, dopants terionisasi dan menimbulkan sebuah "muatan ruang " yang, pada gilirannya, meningkatkan kapasitansi dari persimpangan. Antarmuka logam-semikonduktor dan batas yang berlawanan dari daerah kosong bertindak seperti dua bidang kapasitor, dengan daerah kosong bertindak sebagai dielectrik.
Hambatan Schottky karbon nanotube menggunakan kontak nonideal antara logam dan carbon nanotube (CNT) untuk membentuk sebuah hambatan Schottky yang dapat digunakan untuk membuat dioda Schottky atau transistor, dan sebagainya. Karbon nanotube atau CNT dapat menjadi alternatif yang praktis untuk perangkat biasa karena ukurannya yang kecil, sifat unik mekanis dan elektronik.