Deposisi uap kimia metal organik
Deposisi Fasa Uap Kimia Metalorganik (MOCVD), juga dikenal sebagai Epitaksi Fasa Uap Organometalik (OMVPE) atau Epitaksi Fasa Uap Metalorganik (MOVPE),[1] adalah suatu teknik yang digunakan dalam fabrikasi semikonduktor untuk membuat lapisan tipis material semikonduktor seperti gallium arsenida (GaAs), indium gallium arsenida (InGaAs), dan sejenisnya. Teknik ini melibatkan proses kimia di mana bahan kimia organometalik (zat kimia yang mengandung logam dan karbon) diuapkan pada suhu tinggi dan diarahkan menuju substrat yang dipanaskan. Proses ini biasanya dilakukan di dalam ruang reaksi yang terkendali dengan atmosfer gas tertentu. Ini pertama kali ditunjukkan pada tahun 1967 di Divisi Autonetics North American Aviation (kemudian Rockwell International) di Anaheim, California oleh Harold M. Manasevit.
- ^ "MOCVD Epitaxy (OMVPE, MOVPE, OMCVD) & Crystal Growth". web.archive.org. 2013-11-03. Diakses tanggal 2024-03-17.
